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삼성전자, 中 시안에 12인치 낸드플래시 메모리 칩 2단계 프로젝트 장비 설치 시작
2021-03-12 |
글로벌이코노믹
삼성전자가 11일(현지시간) 중국 북서부 산시성 시안에서 12인치 낸드플래시 메모리 2단계 사업 장비 설치 단계에 들어갔다고 글로벌타임스가 보도했다.
2단계 공사가 완료되면 올여름부터 가동될 것으로 예상된다. 2단계 플랜트가 완전히 가동되면 월 13만 장의 웨이퍼를 생산하게 된다. 이는 삼성 전 세계 유사 웨이퍼 생산량의 40%를 차지하는 분량이다.
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